半导体激光器具有体积小,重量轻,效率高,寿命长等诸多优点,在国民经济和军事领域的方方面面起着越来越重要的作用。固体激光器的飞速发展和大功率半导体激光器和光纤的耦合效率不断提高,大大促进了高占空比大功率半导体激光阵列的发展。808nm半导体激光列阵泵浦的固体激光器已用于医疗、工业加工等民用领域,以及制导、测距、瞄准与告警、成像雷达等军用领域。要满足当前的泵浦要求,高占空比无铝大功率激光器阵列是必需的泵浦源。本文从激光列阵特性分析的角度出发,针对808nm大功率无铝半导体激光阵列的结构设计及制备进行了广泛深入的研究,取得了一些有价值的研究成果。1.从制备无铝大功率半导体激光器阵列的整体入手,讨论了其关键工艺技术,详细分析每一步关键工艺技术中影响无铝大功率半导体激光器阵列性能的因素。2.对大功率激光器中热损耗机理进行分析,得到了大功率激光器阵列中的热源和大功率激光器的温度特性。3.利用测试系统对激光线阵模块进行参数测定,通过分析外界温度对激光器的影响发现:随着温度的增加,输出功率和斜率效率分别呈抛物线和指数关系递减。4.为适应激光器阵列工作模式的需要,设计了有源小通道热沉冷却无铝大功率半导体激光器线阵。制备的样品各项参数测试包括峰值功率、光电转换效率、波长和光谱半宽、光束发散角等达到预期指标。5.通过表面钝化技术避免了激光器腔面的氧化,从而在腔面附近避免了较高的复合电流来减弱光学灾变。6.通过应用两个相关定理分析了半导体激光列阵的光场空间分布,通过分析衍射极限倍(M~2)因子对半导体激光列阵的光束质量进行了描述。