Gd掺杂CeO<,2>电解质薄膜的生长与电学特性研究

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【摘要】

：

掺杂CeO_2基电解质材料替代传统的YSZ电解质材料是发展中温固体氧化物燃料电池的趋势,是目前SOFC领域的研究热点之一。掺杂浓度为10%～20%左右的Gd_2O_3掺杂的CeO_2(GDC)电解质因在400—700℃温度下具有较高离子电导率,使其成为最有希望的替代材料之一。为了满足电解质材料薄膜化、中温化的发展趋势,尚需对GDC电解质材料制备工艺的改善和离子电导率的提高进行更加深入的研究。本文采

【作者】

：

马小叶

【机构】

：

大连理工大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

GDC电解质薄膜反应磁控溅射沉积温度薄膜生长电学特性

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