近年来,随着纳米科技的发展,如何从原理和制备方法上进一步微型化电子元件至纳米甚至分子尺度受到人们的高度重视.一维纳米材料,例如纳米线、纳米管,在纳电子线路中既有连线功能又有器件功能,是纳电子线路中不可或缺的电子器件.此外,由于它可以像常规硅微电子器件那样利用基本的物理学原理进行测量和设计,这使得人们更容易理解和操纵,已成为近年来纳电子器件研究的热点.本文主要围绕纳电子器件的结构问题,建立构筑表面原子/分子结构确定、尺度和形状可控的一维纳米结构体系的方法,运用各种物理和化学制备方法,发展一维纳米构筑技术和其电学性质测量方法.主要研究结果如下:1.以多孔阳极氧化铝为模板,采用两步交流电脉冲沉积的方法制备得到具有单晶结构的有序金纳米线阵列.初步研究了氧化铝模板中交流电沉积制备金属纳米线的机理.2.采用两步交流电沉积、分子自组装与化学镀相结合的方法,在阳极氧化铝模板的有序纳米级孔洞中制备了具有不同链状分子结构的金属一分子一金属异质结.3.分别采用电化学和电迁移法制备了具有不同量化程度的Au、Cu量子线.其中,由于材料结构缺陷在纳米级的随机性,电迁移法制备量子线的重现性较差.采用恒电位四电极方法和恒电流三电极方法制备了具有不同间距的纳米间隔.其中,恒电位方法基于电子的隧穿现象,它适合于制备1nm以下的间隔;恒电流方法基于电极/溶液界面电势分布随距离的变化,它可以制备从数纳米至埃米级的间隔.利用具有埃米间隔的电极对,初步研究了电极/溶液界面的电双层结构与电解质浓度的关系,发现了GCS模型在高浓度条件下的局限性.