半导体光电探测器可以将调制过的光信号转为相应的电信号。由于具有高的量子效率和小的体积等优点,在光通讯、遥感、数字成像、远程控制、生物研究等许多领域都有着广泛的应用。作为近几年材料科学领域冉冉升起的一颗新星,全无机钙钛矿材料CsPbX₃有着长达175μm的载流子扩散距离,10倍于有机染料的吸收系数、与Si材料处于同一水平的高载流子迁移率(1000cm²V^-1s^-1),以及高达95%的量子产率。相比于传统半导体材料,钙钛矿更易依靠简单、经济的制备技术得到发射光谱窄、吸收效率高的器件。这些优良的特性使得钙钛矿材料在诸如发光二极管、激光增益介质以及光电探测器中都有着广阔的应用前景,从而成为了实现低成本、低电压、高性能的下一代探测器的理想功能材料。CsPbX₃基光探测器对应的响应波长位于可见光范围内,并有着可以通过简单手段调节材料能带宽度来调节响应波长的优势,作为传感器在智能家居、物联网、可穿戴设备和健康管理等前沿领域有着巨大的应用潜力。若使用薄膜制备全无机钙钛矿基光电探测器,首选制备方法是简单的溶液法,先制备为薄膜,然后再旋涂成薄膜或者自组装的体材料。但对于由纳米结构组成的薄膜,其存在的量子限制效应会影响电子和空穴有效分离,同时也存在着缺陷多、晶界多等不利因素。针对上述这些难题,本文拟采用化学气相沉积法（CVD）来解决。CVD方法是制备传统半导体（如ZnO、GaAs等）单晶薄膜的有效方法,且能实现半导体与多种外延基底的有效整合,从而便于设计与制作出多种性能优异的集成器件。本次实验使用PbBr₂和CsBr₂混合作为原料,并且采用CVD法在ITO上生长CsPbBr₃薄膜,寻找最佳生长条件。开展了如下相关工作:1、采用化学气相沉积法生长技术生长横截面直径10²0μm的氧化锌微米线,长度达1.5 cm。通过调节不同温度不同气压,生长出不同长度的微米线,从而确定生长氧化锌微米线的最佳温度与最佳气流。低于1000度时,未达到氧化锌的生长温度。温度高于1100度时,原料中碳与氧气反应过于充分,未生成微米线。当温度在大于1000度小于1100度时,原料中才能发生恰当的碳热还原反应,从而生成氧化锌微米线。通过控制生长时间,才能达到对氧化锌微米线长度的初步控制。2、使用化学气相沉积法生长CsPbBr₃钙钛矿薄膜,摸索了最佳的生长条件,并构建了肖特基结的光探测器,器件有良好的性能和很好的稳定性。3、采用化学气相沉积方法构建核壳结构微米线,在氧化锌微米线上生长铯铅溴。以氧化锌微米线作为核层,铯铅溴作为壳层,以29.5℃/min的升温速率,升温至590℃,得到氧化锌/铯铅溴核壳微米线。初步构建核壳微米线探测器,采用FIB（聚焦离子束）的技术手段将氧化锌/铯铅溴核壳微米线一端的铯铅溴壳层剥离。用真空热蒸发的手段在一端露出的氧化锌核层与另一端的铯铅溴壳层上分别制备电极,并且使用商用540 nm二极管作为光源测试器件的探测性能。