纳米级金属-半导体结构材料在半导体和微电子领域占有重要的地位,它具有丰富的物理特性。在寻找高性能金属-半导体结构材料的过程中,检测或评价金属薄膜的厚度一直都是一个关键的课题。这项工作中,我们提出一种直接的基于侧向光伏效应的表面分析方法,不仅可以测量金属薄膜的厚度,而且可以检测金属表面的起伏,金属薄膜在不同的位置的厚度可以通过移动激光的位置和测量侧向光伏变化来确定。相较于传统的测量方法如AFM,SEM,TEM或台阶测试仪等,这种基于激光的测试方法具有更直接,更安全,不破坏金属表面等优点,可以作为传统测量方法的重要补充。第二部分介绍了光控霍尔效应的工作进展,从十九世纪发现霍尔效应开始到现在关于它的研究和讨论从未停止,霍尔系数和电导率的测量已经称为目前研究半导体材料的主要方法之一。我们以P型硅为研究对象,测试了它的霍尔系数,另外在样品表面加一束激光,研究了霍尔电压、霍尔电阻等数据随激光位置的变化,实验结果显示,光生载流子对霍尔效应有一定的影响,如何实现对霍尔效应的调控是接下来工作的重点。