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雷达通信系统在目前的军事、安防定位等生活的各个方面都处于不可或缺的地位,随着无线通信以及集成电路的发展及多样化,高性能、高集成度的在片系统具有越来越大的吸引力,低噪声放大器处于雷达接收系统的第一级,其电路模块的增益、噪声系数及线性度对于整个雷达接收系统具有重要的影响。本文基于 Global Foundries 0.13um SiGe BiCMOS 工艺,针对在片的无源器件和有源电路进行了研究,并基于GSMC 0.13um CMOS工艺对LNA做了拓展研究,最后在PCB板级基于芯片对雷达电路进行了研究与分析。本文的主要研究工作与创新点如下:首先,设计了一种新型结构的电感,该电感与传统的平面电感相比,电感的面积显著减小,电感的自谐振频率从96GHz上升到99GHz和Qmax点对应的频率从36GHz升高到45GHz,即提高了电感的应用频率。在此基础上,较为全面的分析了影响电感性能的各种寄生效应,综合考虑了趋肤效应、邻近效应、衬底寄生的前提下,提出了一种新的电感等效电路模型,并且完成了参数提取及验证,得到结果一致性较好。其次,分析了传输线的电感特性,并且较为系统的定性定量的分析了绕线电感和传输线电感的特点,在综合考虑电感值、Q值及占用芯片面积的前提下,给出了传输线电感和绕线电感的各自优势应用频率范围。接着,基于 Global Foundries 0.13um SiGe BiCMOS 工艺设计了K-Band两级cascode共源极低噪声放大器,在24GHz处增益为27.3dB,噪声系数为3.8dB,输出ldB压缩点为-0.68dBm,除此之外,基于GSMC 0.13um CMOS 工艺完成了可工作于 C-Band(5.8GHz)和 X-Band(10.525GHz)的双频带 LNA,增益在 5.8GHz 处为 15.3dB,10.525GHz 处为 17.1dB,噪声系数在 5.8GHz 处为 3.37dB,10.525GHz处为3.68dB,输出1dB压缩点在5.8GHz处为-6.3dB,10.525GHz处为-6dBm。最后,基于ADF4158和BGT24MRT12两个芯片完成了 K-Band产生FMCW调频波(三角波、锯齿波、斜波)的锁相环频率合成器,并且完成了加工测试。