ADC是系统开发中不可或缺的关键部件，而带隙基准电压源为整个系统提供稳定的电压电流，重要性不言而喻。因此，设计一款高性能的带隙基准电压源具有重大意义。传统带隙基准电压源通过两个相同的PNP双极型晶体管的基极发射极电压差△VBE得到具有正温度系数的电压，但是由于运算放大器的使用引入了输入失调电压VOS，直接影响输出基准电压的精度。本文通过对传统CMOS带隙基准源电路原理的分析，提出了一种高性能且综合了一阶温度补偿和NPN双极型的带隙基准源结构。本设计采用NPN型三极管产生△VBE，减小了运放失调电压对电路精度的影响，加入反馈回路提高电路的电源抑制比。同时，设计了启动电路，排除了简并点的问题，带隙基准电压源电路完全启动后启动电路自动关闭，避免了启动电路对带隙基准电压源电路精度的影响。该电路结构简洁，电源抑制比高，输出电压随温度变化小。整个电路采用SMIC0.18um CMOS工艺实现，在一阶温度补偿条件下，利用Cadence软件进行前仿真，在0~1.8V的输入电压下，带隙基准输出电压为1.20V，在-40℃到120℃温度范围内，输出电压的最大摆动值为1.25mV，温度系数为7ppm/℃，在频率范围为1~1GHz，电源抑制比（PSRR）为-85dB。绘制版图进行后仿真测试，后仿真温度系数为11.25ppm/℃，与前仿真值差别不大；后仿真PSRR值为-71.2dB，仿真值有所下降，但也满足的了一般应用要求。总之，本设计的带隙基准电压源完全满足12位100MHz的ADC的要求。