太赫兹频率在0.lT~10THz(波长为3mm~30μm)范围内的电磁波。太赫兹波能够穿透多种电介质材料,这使得太赫兹波成像技术具有广泛的应用前景。然而由于太赫兹波长的限制,太赫兹成像分辨率被限制在毫米尺度。太赫兹相干层析成像技术将发展较为成熟的OCT(光学层析成像)技术与太赫兹成像技术相结合,理论上能够获得较高的纵向分辨率,下面是本论文的主要工作:(1)利用热辐射太赫兹源和迈克尔逊干涉仪搭建了太赫兹相干层析成像系统。选择中心频率为11THz带宽达20THz的中压汞灯做为太赫兹源,获得理论相干长度亦即纵向分辨率为10微米。(2)使用Labview编写扫描控制和数据采集程序,这里包括一维与二维的扫描程序,通过扫描程序控制步进电机控制器,步进电机控制器向步进电机发送运动指令实现对样品的一维和二维扫描。数据采集程序控制锁定放大器和数据采集卡对成像数据进行采集和处理。最后通过对硅片进行一维和二维的扫描验证了程序的可行性。(3)对硅片进行一维和二维的扫描,拟合一维扫描数据得到硅片在汞灯光谱下的折射率,处理二维扫描数据获得硅片二维层析图像。同时分析了太赫兹层析成像系统的噪声来源,并利用Matlab对样品图像进行带通滤波,平滑处理,小波降噪等处理,获得了较为清晰的层析图像,分析所得图像可得出本太赫兹相干层析成像系统具有100微米的纵向分辨能力。