近年来,(Al_xGa_1-x)₂O₃作为一种超宽带隙半导体材料,由于其优异的光电性能与化学稳定性,使得其在高功率器件和紫外探测等方面具有潜在价值。本文使用磁控溅射,通过Al/Ga₂O₃靶和Al₂O₃/Ga₂O₃靶制备了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,研究了不同参数对(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜晶体质量的影响,并在(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜上制备了叉指电极,形成了MSM型紫外探测器,分析了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜的光电性能,主要工作如下:（1）利用Al/Ga₂O₃靶在蓝宝石衬底（0001）面上制备了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,分别研究了溅射功率、溅射压强和退火温度对(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜结晶质量、表面形貌等的影响。通过XRD、SEM、UV-Vis、XPS、Raman等测试手段,研究分析了薄膜的晶体结构、形貌特征和光学信息,初步确定了Al/Ga₂O₃靶制备高质量的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜参数为溅射功率140 W,溅射压强1.2 Pa,溅射氧氩比0:38,溅射时间120 min,退火温度900℃,退火时间120 min。（2）利用Al₂O₃/Ga₂O₃靶在蓝宝石衬底（0001）面上制备了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,分别研究了溅射功率、溅射压强和氧流量对(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜结晶质量、表面形貌等的影响。通过XRD、SEM、UV-Vis、Raman等测试手段,研究分析了薄膜的晶体结构、形貌特征和光学信息,初步确定了Al/Ga₂O₃靶制备高质量的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜参数为溅射功率120 W,溅射压强1.6 Pa,溅射氧氩比8:38,溅射时间120 min,退火温度900℃,退火时间120 min。（3）通过标准光刻和剥离技术在(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜上制备了叉指电极,形成MSM型探测器。在低溅射功率下采用Al₂O₃/Ga₂O₃靶制备的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,非晶和空气退火后没有响应度,但Ar气氛围下退火后的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜在50 V偏压下,对224 nm波长显示出47 mA/W的光谱响应度。在高溅射功率下利用Al/Ga₂O₃靶和Al₂O₃/Ga₂O₃靶制备的(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜经空气退火后,在50 V偏压下,分别对222 nm和224 nm波段显示了0.7 A/W和0.65 A/W的光谱响应。