TSV(Through-Silicon Vias,硅穿孔)技术能够显著缩小芯片层之间导线的长度,因此其成为了三维集成电路技术的核心技术。光TSV兼有光波导和电TSV的优点,与电TSV相比,光TSV有着更大的带宽、更小的寄生效应及更强的抗干扰能力。因此,光TSV已经成为三维集成技术的另一个新领域。光TSV中诸如芯层直径、纵向高度以及光源波长等因素会对光TSV的损耗特性产生显著影响。另外,光TSV又是基于TSV工艺的,所以TSV工艺会引起的缺陷同样会影响着光TSV的性能。为了尽可能提高光TSV的集成度,光TSV之间的间距应该尽可能的小。但是当光TSV之间的间距缩小的时候,光TSV之间的耦合效应也会随之增大。本文使用RSOFT软件对光TSV的损耗以及耦合特性开展了研究。在光TSV的损耗特性方面,本文首先开展了光TSV结构参数及光源波长对损耗特性的影响研究。仿真结果显示,光TSV的传输损耗随着芯层直径的增大而减小,随着光源波长以及纵向高度的增大而增大。其次,本文开展了不同侧壁条件下光TSV的损耗特性研究。结果表明,侧壁倾斜程度越高,光TSV传输损耗越大,而且损耗程度与入射端面的选择有关;侧壁粗糙的光TSV的传输损耗比侧壁光滑的光TSV的大;对于侧壁是粗糙且倾斜的光TSV来说,侧壁粗糙度相对于侧壁倾斜度来说对光TSV的传输损耗的影响更小。在光TSV的耦合特性方面,本文首先开展了相邻光TSV之间的间距对耦合特性的影响研究。仿真结果显示,两个相邻光TSV的耦合效应随着它们的空间距离的增大而减小。其次,本文开展了不同侧壁条件下光TSV的耦合特性研究。结果表明,光滑的光TSV的耦合效应比粗糙类型全为凸起和全为凹陷的光TSV都要小;在间距较小时,光滑的光TSV的耦合效应比粗糙类型全为凸起和全为凹陷的光TSV要小得多;反向入射的侧壁倾斜的光TSV对相邻光TSV的耦合效应的影响比正向入射的侧壁倾斜的光TSV的大;粗糙类型全为凹陷的光TSV比粗糙类型全为凸起的光TSV对相邻光TSV具有更大的耦合效应;正向入射的侧壁粗糙倾斜的光TSV对相邻光TSV的耦合效应比反向入射的侧壁粗糙倾斜的光TSV的大;粗糙的侧壁与正向入射方式的综合效应加大了正向入射的侧壁粗糙倾斜的光TSV对相邻光TSV的耦合效应。