近期提出的拓扑超导体是区别于传统超导体的一种新的量子物质态。拓扑超导体边缘态有受拓扑保护的能量为零的准粒子激发,这种准粒子与高能物理领域中的马约拉纳费米子具有类似的性质,具有奇异的非阿贝尔统计特性,有望应用于拓扑量子计算。因此,对拓扑超导的研究成为目前凝聚态物理最前沿的研究领域之一。最新的研究还指明人们可以通过制备超导体/拓扑量子材料异质结构,把超导电性引入拓扑量子体系,从而实现人们孜孜以求的拓扑超导态。在本论文中,我们较先开展了对MoTe₂体系超导邻近效应及约瑟夫森效应的研究。我们利用电子束光刻技术制备了超导体（Nb）-外尔半金属（MoTe₂）-超导体（Nb）约瑟夫森结,并在低温变磁场系统下测量了该约瑟夫森结的电输运特性。包括:1.电阻变温曲线,2.伏安特性曲线,3.零磁场下不同温度的微分电阻谱（d V/d I-V）,4.温度为1.7K时不同磁场的微分电阻谱。在电阻变温曲线中,我们观察到了两个超导相变转变温度,分别为Tc1=9 K,Tc2≈3.2 K。并且在零磁场不同温度的微分电阻谱中,我们发现当温度T>Tc2≈3.2 K时,微分电阻谱是连续且平坦的曲线。当温度TL以及±Δ_S处出现了微分电阻峰（|Δ_L|>|Δ_S|）,且当电压在|V|<Δ_L以及|V|<Δ_S范围内时,微分电阻下降明显。经过分析,我们认为以上现象是由超导邻近效应以及安德烈夫反射所致。超导电极Nb通过超导邻近效应,诱导MoTe₂的表面态及体态产生eΔ_L和eΔ_S的超导能隙。通过BCS理论对不同温度下Δ_L和Δ_S的拟合,我们得到了温度为0 K时的表面态和体态的超导带隙分别为0.41 me V,0.11 me V。当温度T<2.7 K后,微分电阻谱在零偏压附近还出现了非常陡峭的深谷。对器件的伏安特性测量,发现该器件在低温下表现出类似于约瑟夫森超流的现象。这些现象表明,在低温下（T<2.7 K）我们在NbMoTe₂-Nb约瑟夫森结中观察到了直流约瑟夫森效应。以上研究将为我们继续探索拓扑超导及马约拉纳费米子等前沿物理打下坚实的基础。