ZnO具有优异的光电、力学和热学性质，可广泛应用于太阳能电池、光催化降解有机物、透明晶体管和紫外发光以及探测器件上。而利用半导体光催化技术，在光照的条件下降解水中的有机污染物，已成为人类解决环境污染的有效途径。纳米ZnO成本低廉，形貌表现多样，吸附性能良好，具有较大的激子束缚能和较高的电子迁移率，制备过程中极易形成纳米线，是一种适合的、能够有效降解有机污染物的半导体光催化剂。但其本身在实际应用中还存在一些问题。对纳米ZnO进行改性，提高其量子效率，抑制载流子在的复合，扩展其光响应范围，增强其在可见甚至红外波段的吸收利用，这是提高纳米ZnO光电化学性能的主要途径，也是该领域的主要研究热点。本文通过电化学沉积的方法，沉积制备了ZnO纳米线结构。以SEM和XRD等表征手段，研究了电解液中杂质离子对纳米ZnO形貌的影响及其作用机理；尝试通过硫化和包覆的方法，对ZnO纳米线进行改性，并通过降解甲基橙试剂为表征，研究了ZnO的光电催化性能。首先用电化学沉积的方法，制备ZnO纳米线阵列。在电解液中加入不同浓度的Pb2+离子，表征结果证明，在纳米ZnO的制备过程中，电解液中痕量（10-6）的Pb2+不仅可以有效改善其取向，同时可以大量增加ZnO纳米线的密度，同时只会产生很少的缺陷；当Pb2+含量继续增多时，会在纳米ZnO中引入较多的杂质离子和缺陷，对其性能产生较大的影响；在电解液中加入15%浓度的Li+，由此制备的纳米ZnO出现大面积倒伏，且棒体粗细不均且表面遍布缺陷及绒状附着物；在电解液中分别加入不同浓度的Mg2+，由此制备出的ZnO纳米线形成花瓣状团簇，且花瓣中心呈二维的周期性排布。这种趋势随着Mg2+浓度的增加越来越明显。为了研究硫化对ZnO纳米线光催化性能的影响，将制备好的纯纳米ZnO在60°C的Na2S水溶液中，恒温反应0.5/1/2/3/5/10h，对硫化后ZnO纳米线的SEM和XRD图谱显示，硫化过程在ZnO纳米线上溶解产生了细纹和龟裂，随着硫化时间的增加，ZnO纳米线甚至发生断裂，暴露出新的晶面。分别以不同硫化时间的ZnO纳米线为催化剂，在氙灯的照射下（用以模拟自然光照条件），催化降解甲基橙溶液。结果证明，硫化后纳米ZnO的催化降解速率有所提升；在一定时间范围内，硫化时间越长，光催化性能越好。以制备出的ZnO纳米线为阴极，在其表面沉积Mg(OH)2；通过逐次化学浴法，在纯ZnO纳米线表面包覆PbS。通过XRD和SEM谱图，对制得的样品分别进行表征和分析。降解实验证明，沉积Mg(OH)2后，纳米ZnO的光催化性能有微弱提高；包覆PbS可以明显提高纳米ZnO的光催化性能，包覆次数越多，对其光催化性能的提高越明显。