近年来,日盲紫外探测器因在导弹制导探测、早期预警、紫外通讯、臭氧监测、海上污染查证、生物分析、公安侦察等领域有着广泛的应用而备受关注。随着市场对波长小于280 nm的日盲紫外探测器的开发与应用需求越来越大,当前研究主要集中于利用各种新型宽禁带半导体材料开发新型日盲紫外探测器,以实现军事、民用等领域的应用。Ga2O3半导体材料因具有4.9 e V左右的较大禁带宽度,并且具有良好的稳定性,较好的抗辐射性能,较低的背景噪声等优点,使其在日盲紫外探测中可以获得较高的量子效率和较高的灵敏度,成为日盲紫外探测器的最佳材料之一。目前,世界各国研究者在宽禁带Ga2O3半导体材料及日盲紫外探测器的制备与研究中,也遇到不少材料生长及器件制备等棘手问题,针对当前Ga2O3半导体薄膜材料及紫外探测器研究应用中出现的问题,本论文采用磁控溅射技术,开展了Ga2O3半导体薄膜制备及膜层掺杂改性后的紫外光电特性的研究工作。论文研究的结果可为今后Ga2O3半导体薄膜材料的制备、紫外探测器的开发及通过掺杂技术提高Ga2O3半导体薄膜材料的光电特性提供实验参考。本论文主要研究工作如下:（1）依据密度泛函理论的平面波超软赝势法和第一性原理方法,通过MS 4.3模拟软件建立了Ga2O3超晶胞结构,从理论上计算分析了本征Ga2O3,钒（V）、铝（Al）掺杂的V/Ga2O3、Al/Ga2O3晶胞结构的能带结构、态密度,为Ga2O3的掺杂改性及在新型光电器件中的应用提供理论依据。（2）采用射频磁控溅射镀膜技术,在Ar气氛下,通过改变溅射功率和沉积时间等参数,在Si O2及石英玻璃衬底上,制备了不同厚度的Ga2O3薄膜,并制备了Ga2O3薄膜场效应晶体管。用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）等分析仪器对样品的微观形貌、物相、及元素组成等方面进行了表征分析。结合吉时利4200A-SC半导体特性分析仪测试分析了本征Ga2O3薄膜的电学特性和光响应特性。（3）利用双靶磁控共溅射技术分别制备了V、Al掺杂的V/Ga2O3、Al/Ga2O3半导体薄膜。利用XRD、SEM、EDS等分析仪器对掺杂后样品的微结构、表面形貌及化学组成进行了分析研究,比较了不同制备条件下的V、Al掺杂的Ga2O3半导体薄膜中V、Al掺杂元素含量,对比了不同的V、Al元素掺杂浓度对Ga2O3薄膜表面形貌和电学特性的影响。测试结果表明在制备Ga2O3薄膜过程中掺入V、Al元素能有效增强其电子学及光电特性,研究发现,掺杂Al元素制备的Al/Ga2O3薄膜具有更好的电子特性。