电力电子变换装置主电路上存在着高幅值、快变化的电流和电压,在其周围会产生强烈的电磁辐射。该辐射场不仅可能影响其他电子电路的正常工作,还会对电力电子变换装置自身的控制电路产生干扰。因此对电力电子变换装置主电路辐射电磁场分布、预测模型和干扰抑制技术进行研究有重要的理论意义和应用价值。本文对一台单端反激式变换器磁场辐射的特性进行了实验研究,分析了原边和副边双高频电流环结构的近场磁场分布特性,建立了磁场辐射仿真模型,并提出了几种辐射抑制措施。本文主要研究内容如下:(1)在介绍电力电子变换装置辐射干扰机理的基础上,对一台反激变换器磁近场辐射干扰发射进行了实验研究,确定了磁近场辐射干扰源及其特点。(2)在分析干扰源辐射机理的基础上,提出利用磁偶极子预测近场范围内磁场辐射产生的感应电压的方法,并验证了其正确性。(3)建立了反激变换器的高频Saber仿真模型和Ansoft磁分布仿真模型,利用所提出的方法预测了磁近场辐射干扰发射,并与实测进行了比较,验证了模型的有效性。(4)在对磁场辐射干扰发射频点进行分析基础上,采用镜像抵消、磁场屏蔽和减小电流环路面积几种有效措施对辐射干扰发射进行了治理。本论文的研究内容有利于帮助设计人员认清磁辐射的规律、在电力电子变换装置设计之初预测辐射干扰强度的大小、指导EMI设计、从而降低电力电子变换装置辐射干扰发射,促进电力电子变换装置早期的EMC设计。