二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙半导体材料,禁带宽度3.6～4.0eV,由于具有对可见光透光性好、紫外吸收系数大、电阻率低、化学性能稳定等优点,已被广泛地应用在高频电子器件、太阳能电池及显示器的电极材料以及气敏传感器等方面。多种工艺可以用来制备二氧化锡薄膜,如磁控溅射、射频溅射、金属有机物热分解法、超声波喷雾热解法、热蒸发法、激光脉冲沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等。其中热蒸发法镀膜具有设备简单、操作容易、成本低廉等优点而成为一种具有重要工艺价值的制备方法。本研究试图通过对氧化锡薄膜热蒸发制备工艺的探索为工业应用提供参考。本文采用热蒸发法制备氧化锡薄膜,结合相关理论制定了一系列实验。在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜,对影响薄膜的生长条件,主要是温度和环境压力等参数进行了研究。使用X射线衍射仪、拉曼谱仪对薄膜进行了成分及结构测试,并用扫描电镜对薄膜的表面形貌进行了观测,用阴极发光方法测定了薄膜的发光性质。结果表明,对于不同的基材及其不同的放置方式存在着不同的最佳成膜温度范围。在碳纳米管基材上,900℃获得了纯度较高的二氧化锡薄膜。在硅基材上,蒸发温度1380℃左右的温度范围内获得了二氧化锡薄膜。所获得的氧化锡薄膜是多晶薄膜,结晶状况不均匀。在其上有时有孔洞出现。阴极发光测试表明,不同的样品发光谱有所变化。