【摘 要】
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该论文利用Mn对Co/Cu系统的中间层进行了多种不同情况的掺杂,成功的得到了低饱和场的磁电阻行为,并进行了一系列磁性和磁电阻行为的研究,得到了一些初步的结论.主要工作如下:
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该论文利用Mn对Co/Cu系统的中间层进行了多种不同情况的掺杂,成功的得到了低饱和场的磁电阻行为,并进行了一系列磁性和磁电阻行为的研究,得到了一些初步的结论.主要工作如下:1)进一步研究了中间层体掺杂的Co/CuMn/Co三明治结构.制备了不同Mn掺杂浓度的Co/CuMn/Co系列,对其磁性及磁电阻性质进行了较详细的研究.证实了Wang等人以前发现的低饱和场磁电阻行为,并得到了进一步的结论.2)利用Mn对Co/CuMn/Co系统进行了层掺杂的系统研究.制备了几个系列的Co/Cu(d<,Cu>)/Mn/Cu(d<,Cu>)/Co层掺杂磁性薄膜,对其进行了大量的实验研究.发现层掺杂与体掺杂一样都可以得到低饱和场的磁电阻,但是两者之间仍然存在着差异.在Co(2.0nm)/Cu(0.8nm)/Mn(0.3nm)/Cu(0.8nm)/Co(2.0nm)样品中,我们发现了这批样品的最高磁电阻值1.2％.
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