【摘 要】
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本论文主要研究了低能负离子束与P型Si(111)和P型Si(100)表面散射后的电荷交换,实验采用6.5-22.5keV的C-、()-、F-离子束,测量在不同能量和不同入射角度下与P型Si(111)和P型S
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本论文主要研究了低能负离子束与P型Si(111)和P型Si(100)表面散射后的电荷交换,实验采用6.5-22.5keV的C-、()-、F-离子束,测量在不同能量和不同入射角度下与P型Si(111)和P型Si(100)表面发生散射后的电荷态比例,研究表明：(1)在低能端,散射时电荷交换与入射离子能量、入射角有着显著地依赖关系：随着入射离子能量的增加,电荷交换几率越来越小,负离子比例增加,中性离子比例会减少,而正离子数目会缓慢增加；在入射角为镜面散射角时,发生电荷态交换的几率最小,从镜面散射角开始增大入射角和减少入射角,电荷态交换几率都会逐渐增大,负离子比例减少,正离子和中性粒子的比例增加。(2)对于O-、F-、C-三种离子,C-离子对外层电子的束缚更弱,散射时容易失去附加电子形成中性离子,也容易丢失核外电子形成正离子。(3)对于P型Si(111)和P型Si(100)两种Si表面,入射离子更容易与P型Si(111)表面发生电荷交换。
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