【摘 要】
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研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5、Ta2O5和SiO2薄膜的光学特性、机械特性(应力、硬度和杨氏模量)、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量对薄膜特性的影响,并与电子束蒸发(EB)和离子辅助沉积(IAD)制备的薄膜特性进行对比。结果表明,IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和薄膜微结构,同时具有较高的压应力、硬度和杨氏模量值。辅助离子源可以改善薄膜光学特性,调节薄膜应力和改善薄膜表面粗糙度,但对硬度和杨氏模量的影响相对较小。在不同的辅助源束流电压Ua条件下,IBS制备Nb2O5应力
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光电科学与工程学院;
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研究了离子束溅射(IBS)制备的Nb2O5、Ta2O5和SiO2薄膜的光学特性、机械特性(应力、硬度和杨氏模量)、薄膜微结构等特性,系统地分析了辅助离子源的离子束能量对薄膜特性的影响,并与电子束蒸发(EB)和离子辅助沉积(IAD)制备的薄膜特性进行对比。结果表明,IBS制备的薄膜具有更好的光学特性和薄膜微结构,同时具有较高的压应力、硬度和杨氏模量值。辅助离子源可以改善薄膜光学特性,调节薄膜应力和改善薄膜表面粗糙度,但对硬度和杨氏模量的影响相对较小。在不同的辅助源束流电压Ua条件下,IBS制备Nb2O5应力值为-152~-281MPa,Ta2O5的应力为-299~-373MPa,以及SiO2应力为-427~-577MPa。在合适的工艺参数下,消光系数可小于10-4,薄膜具有很好的表面平整度,薄膜表面RMS<0.2nm。
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