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近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器.
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
【摘 要】
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近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器.
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2011年7期
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