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为了抑制暗电流进而提高工作温度，最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图，它包括一个n型窄带隙吸收区、一层与之耦联的宽带隙势垒薄膜以及随后的一个窄带隙接触区。这种nBn器件的应用的关键点在于它在保持大的导带偏移的同时能保持0价带偏移（对于少数空穴来说就是无势垒）。这种势垒安排允许光生少数载流子空穴即使在非常低的偏压下也能流向未受阻的接触区，同时又能使导带中的大能量势垒阻挡住多数载流子的暗电流、再次注入的光电流和表面电流。