少数载流子相关论文
介绍了用微波反射法测量HgCdTe中的少数载流子寿命 ,分析了其测量原理 ,并与接触式的光电导衰减法进行了对比。
The minority car......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
双结p+/n-well/p-sub光电二极管由于其较高灵敏度、低暗电流而成为荧光检测光电传感单元的最佳选择。文章基于0.5μm CMOS工艺对双......
研究出一种使用硅光电二极管自校准技术建立激光微小功率标准的新方法。本文阐述自校准的原理和方法,并给出了4只硅光电二极管(UV-......
本文利用浅PN结对短波长光的响应比较灵敏,深PN结对长波长光的响应比较灵敏的原理,提出一种壶状PN结的结构形式,以扩大光谱响应范......
用电子辐照改善硅功率器件的性能是一项极有前途的新技术。其所依据的基本原理是:电子射线可使硅晶体中产生一些缺陷,这些缺陷构成......
本文首次用激光作激励光源,在P型硅片上成功地进行了光电化学成像沉积,得到层次清晰的图像。该沉积系统可望作为一种新的可擦除图......
为深入研究半导体表面过程,主要针对Zerbst方程,用数值拟合法,给出脉冲电压作用下MOS器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析......
针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足,建立利用光谱响应研究硅太阳电池基区少数载......
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着......
本研究采用改进的光致开路电压衰退方法测量了不同组分Hg1-xCdxTe光伏探测器中光生少数载流子寿命。激发光源为脉冲YAG激光泵浦的......
Analytical Modeling of Base Transit Time of SiGe HBTS Including Concentration Dependent Bandgap Narr
有基础的 SiGe 和 Si emitter 和收集者的异质接面双极的晶体管逐渐地由于这些的更好的性能在电子学在高速度应用程序变得重要有......
研究了快速热退火（RTA）对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响。结果表明，氧化硅片在1100℃的条件下RTA3min后，SPV测出的铁含量大幅......
详细说明了用微波反射光电导衰减 (μ PCD)测量碲镉汞材料 (MCT)中少数载流子寿命的原理。μ PCD系统对样品少数载流子寿命的测量......
基于对半导体表面产生区宽度特点的分析,提出了与表面空间电荷区宽度呈线性关系的产生区宽度新模型.该模型形式简单,精度较高.数理......
反向恢复特性是衡量混合肖特基/PiN(MPS)二极管开关性能最重要的参数之一。本文对6H-SiC基MPS二极管结构参数与反向恢复峰值电流、......
介绍了用表面光电压（SPV）法测试少数载流子的扩散长度、少子寿命和体Fe含量的基本原理及其计算方法，分析了三种常见外延结构中少子扩......
针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题，通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道，其原因是少子浓度过低，从而......
运用AFORS-HET软件对β-FeSi2（n）/a-Si（i）/c-Si（p）/μc-Si（p^＋）HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化。模拟结果......
为了抑制暗电流进而提高工作温度，最近有人提出了一种基于单极nBn结构的新型红外探测器体系机构。图4示出了nBn探测器的能带草图，它......
从半导体物理学及电化学的角度对光寻址电位传感器 (LAPS)的机理进行了较为深入的研究。详细阐述了LAPS的基本构造 ,并通过分析LAP......
晶体三极管是电子技术课程中的基础元器件,也是教学的重点内容。本文针对三极管原理传统教学方法的缺陷,提出一种新分析切入点,从P......
三极管放大原理在很多教材中的微观解读,存在着疑问或歧义。文章提出相关教材的质疑点,以PN结特性为切入点,给出一个新的、全面的......
