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采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积出SiO2厚膜材料,材料膜厚40μm以上,生长速率8μm/min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料.利用XRD,SEM,电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析.
二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理
【摘 要】
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采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积出SiO2厚膜材料,材料膜厚40μm以上,生长速率8μm/min.将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理,获得各种形态的二氧化硅厚膜材料.
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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2001年4期
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