【摘 要】
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研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与
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研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状,关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望。
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