比导通电阻相关论文
随着电子电力领域的发展,功率器件正逐步占有更多的市场份额,对功率MOSFET器件的研究也逐步深入,为改善“硅极限”问题,许多创新的......
功率MOSFET由于可以实现高速的开关,有着较高的输入阻抗,并且易于被驱动,在功率器件中占有着重要的地位。但是功率MOSFET器件的击......
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于......
针对电动汽车、光伏、储能等战略性新兴产业对高可靠高效率碳化硅功率MOSFET器件的需求，开展了650 V碳化硅外延结构、芯片JFET区尺......
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
绝缘栅控型的功率器件在功率半导体器件市场中占据了相当大的比重,其中最典型的器件为功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field......
设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件（FG-LDMOS）,该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽，再经热氧化后填充作为场板的......
高压集成电路被广泛的应用于AC/DC转化、高压栅驱动、LED照明驱动等领域,应用前景广泛。作为高压集成电路的核心开关器件,LDMOS（Lat......
学位
横向功率MOSFET因其具有开关速度快和便于集成等优点,在功率集成电路领域占据重要地位。功率器件中存在一个重要的折中关系,即比导......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor,LDMOS）作......
近年来,急剧增加的市场需求与国家政府的大力支持使集成电路产业得到高速发展,与国外行业水平之间的差距正日趋缩短。横向双扩散金......
绝缘体上硅横向双扩散功率MOSFET（SOI LDMOS）由于其易驱动,耐高压,高速,低的寄生效应等优点而被广泛地应用于功率集成电路中。如何在......
电子产品的发展由于功率MOS器件的出现进入到了一个节能高效的新阶段。为了进一步降低特性阻抗,提高集成度,功率MOS器件的研究重心......
近年来,具有高禁带宽度、高击穿电压、高饱和电子迁移速率等优点的氮化镓（GaN）材料在高压、高温、高频和高功率等领域大放异彩。然而......
功率半导体器件作为智能功率集成电路(SmartPowerIntegratedCircuits,SPIC)和高压集成电路(HighVoltageIntegratedCircuits,HVIC)......
提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......
功率半导体器件是功率集成电路的核心器件,起到了电能转换和电路控制的关键作用,因此它不仅是影响芯片性能制造成本的重要因素,还......
近年来,GaN基垂直型功率器件以其芯片面积小、击穿电压高、电流崩塌抑制能力强等优势而成为国内外研究的热点和焦点。然而,当前的G......
电力电子技术堪称是全球第二次电子革命,如今关系着人们的生产生活以及国家的经济、政治及国防。以功率半导体器件为核心部件的电......
纵向功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件是一种重要的功率半导体器件,在消费电子和工业控制等领域具有非常......
为了缓解LDMOS中比导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,提出了一种具有2层堆叠结构的LDMOS器件。该结构由2个独立的LDMOS器件堆叠形......
击穿电压和比导通电阻是SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field ......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的出现,使集成电路(IC)的发展进入了新的进程。作为集成电路的核心器件,横向功率MOS(Metal ......
超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间......
基于SMIC 0.18 μm HVBCD工艺,移除了3层掩模板.调整器件的结构参数,对横向双扩散MOS管(NLDMOS)进行了分批流片.该NLDMOS通过了电......
随着电子产品在人类社会中所占有市场的不断增长，电能的可使用性也变得越发的重要。然而，现有技术获得的电能中，75%以上的部分需由功......
随着功率集成电路(Power Integrated Circuit,PIC)的发展,横向双扩散MOS器件(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor......
SOI LDMOS器件是基于LDMOS器件的一种新型功率半导体器件。SOI结构具有高速,低功耗,高集成度,抗辐照,易于隔离等优点,并且可以克服......
横向MOS(Metal Oxide Semiconductor)器件是集成电路中的主要功率器件。横向MOS器件按照沟道掺杂类型又可分为nLDMOS(n-channel La......
横向功率器件是功率集成电路中的核心器件。针对横向高压功率器件的研究主要集中在实现高耐压，低功耗以及小型化目标。长漂移区尺寸......
采用场极板结终端技术提高LDMOS击穿电压,借助二维器件仿真器MEDICI软件对基于体硅CMOS工艺500V高压的n-LDMOS器件结构和主要掺杂......
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂......
横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结......
提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比......
提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS)。在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅。首先,双栅......
比导通电阻和击穿电压之间的权衡问题是功率LDMOS的主要研究对象。文章针对LDMOS器件性能提升的不同研究方法展开调研,并总结与概......
为了降低绝缘体上硅（SOI）功率器件的比导通电阻，同时提高击穿电压，利用场板（FP）技术，提出了一种具有L型栅极场板的双槽双栅SOI器件新结构.......
研究了两种具有埋界面漏的槽型技术（Trench）功率金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）。利用埋于整个界面的漏n’层缩短开态时载流子在......
p+屏蔽区的槽栅4H-SiC功率MOSFET可以进行优化设计,优化结构由2个n型导电柱、3个p型导电柱、氧化物和轻掺杂n型电流扩散层(NCSL)构......
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离......
提出了一种埋部分P＋层的背栅SOI（Buried Partial P＋layer SOI,BPP＋SOI）高压器件新结构.部分P＋层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,......
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准......
自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化......
提出了一种具有P型埋层的PSOI器件耐压新结构，称为埋层PSOI（BPSOI）．其耐压机理是，通过P型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场......
基于Semi-SJ（super junction）结构,提出了SJ的比例可以从0～1渐变的PSJ（partial super junction）高压器件的概念.通过对PSJ比导通电阻的......
随着电子产品的日趋发展,市场竞争愈演愈烈,商家对功率器件产品的品质要求也越来越高,高品质低成本是目前电子产品市场里最核心的......
