论文部分内容阅读
5制作工艺和优化Ⅱ型InPDHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InPHBT和DHBT工艺基本相同，一般沿用传统的三台面工艺，所不同之处主要是基区材料不同而导致湿法腐蚀和工艺细节变化，此外，由于Ⅱ型DHBT集电区全部采用InP材料，从而减小了由于四元缓变层带来的形成集电区台面时的工艺难度。其基本工艺流程如下：首先用剥离方法制作发射结欧姆接触电极，由于发射区帽层为高掺杂的InGaAs，一般采用Ti／Pt／Au复合多层金属结构；然后用发射极金属电极图形作掩蔽，用湿法化学腐蚀和干法反应离子刻蚀结合腐蚀InGaAs帽层和I