该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变......

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电......

利用Mo／W／Ti／Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP／GaAs双异质结双极晶体管(DHBT)，分析了与传......

报道了一种自对准InP／InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件，其峰值共射直流增益超......

5制作工艺和优化Ⅱ型InPDHBT的工艺流程与传统Ⅰ型InPHBT和DHBT工艺基本相同，一般沿用传统的三台面工艺，所不同之处主要是基区材料不......

报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过......

设计并生长了一种新的InGaP／GaAs／InGaPDHBT结构材料，采用在基区和集电区之间插入n^＋-InGaP插入层结构，以解决InGaP／GaAs／InGaPDHBT集电结......