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对蒸发源位于非平面基底一半球面正下方时膜厚均匀性进行了理论研究。通过建立无量纲模型计算了此种几何配置下，半球表面在两种常见理想蒸发源下各位置的膜厚公式以及膜厚分布方程。选择基底与蒸发源问较大的距离，可获得更大的可镀膜区域，同时该距离对基底上镀制的膜层厚度分布影响也较大。最后对实用蒸发源的发射系数，对该几何配置下半球面膜厚分布影响进行了理论研究。