【摘 要】
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针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管.该结构利用阳极金属与GaN半导体之间的功函数差耗尽二极管
【机 构】
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电子科技大学电子科学与工程学院,成都611731
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针对垂直GaN肖特基二极管击穿电压低、泄漏电流大等问题,提出了一种具有鳍状(Fin)阳极结构的高压垂直GaN功率二极管.该结构利用阳极金属与GaN半导体之间的功函数差耗尽二极管阳极与阴极之间的导电沟道,实现二极管关断及反向耐压的功能,因此,阳极不再需要进行肖特基接触,仅需欧姆接触即可.通过优化Fin阳极结构参数,新结构同时实现高击穿电压和低正向导通压降,该器件的击穿电压为1 791 V(@1×10-4 A/cm2),正向导通压降为0.815 V(@100 A/cm2),导通电阻仅为0.73 mΩ·cm2且具有高的温度稳定性,开态电流摆幅高达1×1012量级.
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