单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lghlgh82

【摘要】

：

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基In

【作者】

：

徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明

【机构】

：

中国科学院微电子研究所,四川大学物理科学与技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年9期

【关键词】

：

单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压 monolithic integration enhancement-mode depletio

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优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示：增强型（耗尽型）PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V（-0.5V）,330mS/mm（260mS/mm）,245mA/mm（255mA/mm）,14.9G

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