【摘 要】
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随着超低介电常数（ultra-low k）材料被引入新的集成电路制造工艺技术节点,对阻挡层抛光液提出了极大的挑战。阻挡层抛光液必须具有高的阻挡层材料和介电层材料（TEOS）的去除速率,
【基金项目】
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国家科技重大专项课题(20112X02704-001,2016ZX02301003-004-002)
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随着超低介电常数（ultra-low k）材料被引入新的集成电路制造工艺技术节点,对阻挡层抛光液提出了极大的挑战。阻挡层抛光液必须具有高的阻挡层材料和介电层材料（TEOS）的去除速率,可调节的铜的去除速率以及低的ULK材料的去除速率,这样在阻挡层抛光过程中可以很好地停在ULK材料上以及获得好的晶圆表面形貌修正能力,且抛光后不影响ULK材料的介电常数k值。文中通过选用合适的ULK材料去除速率抑制剂,解决了抛光后ULK材料k值变化的问题,采用合适的腐蚀抑制剂,解决了铜表面腐蚀的问题和制约铜去除速率的问题,通过
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