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SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiCMOS器件的关键技术。针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题，采用电子回旋共振（ECR）微波氢等离子体对SiC表面进行预处理，研究了低温退火条件下Ti／4H-SiC欧姆接触特性。I—V电学测试结果表明，经氢等离子体处理（HPT）后的样品无需退火即可形成欧姆接触，利用圆形传输线模型测得比接触电阻率为2．25×10-3Ω·cm2，随着退火温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃退火后获得最小的比接触电阻率2．07×10-4