【摘 要】
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设计了一种结构为(Si/SiO2)^ND(Si/SiO2)^N 的一维光子晶体滤波器,利用传输矩阵法,理论模拟了其在近红外波段的滤波特性.通过比较两种不同缺陷层材料Si与SiO2发现:低折射率缺
【机 构】
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太原理工大学物理与光电工程学院,太原理工大学新型传感器与智能控制教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61575138,11704275);山西省自然科学基金资助项目(201601D202013)
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设计了一种结构为(Si/SiO2)^ND(Si/SiO2)^N 的一维光子晶体滤波器,利用传输矩阵法,理论模拟了其在近红外波段的滤波特性.通过比较两种不同缺陷层材料Si与SiO2发现:低折射率缺陷SiO2的结构透射峰的峰值更高;当缺陷的厚度增加时,透射峰的半高宽和峰值能够保持稳定.对于两种缺陷材料的结构,在缺陷厚度保持不变时,随着入射角的增加,TE模式下禁带短波长处的禁带边沿蓝移量大于长波处,禁带中透射峰的峰值降低且半高宽减小;TM模式下禁带长波长处的禁带边沿蓝移量大于短波处,半高宽增加,且入射角度从0&
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