【摘 要】
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<正> 应用于固体器件的电子学自从诞生之日起便把小型化、高集成化和提高频率做为一贯的努力目标。如果回顾一下固体器件电子学的发展过程,不难看到每一种新技术的出现必定成
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<正> 应用于固体器件的电子学自从诞生之日起便把小型化、高集成化和提高频率做为一贯的努力目标。如果回顾一下固体器件电子学的发展过程,不难看到每一种新技术的出现必定成为它向前发展的先导。制造集成电路或者大面积集成电路的主要技术是杂质热扩散、照像制作掩膜图形、化学腐蚀和外延生长单晶薄膜等。可以说这些技术构成了目前的固体电子学。然而,这些技术必竟有一定的精度界限,再进一步寻求超高速超小型已非常困难。譬如,用于计算机逻辑电路高速动作的标准P、t乘积(P是耗散功率,t是演算时间)愈小,计算机愈能高速工作。图1示出了从电子管开始经过合金型晶体管,向TTL(晶体管和晶体管偶合)、
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