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采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基础上，研究了不同退火温度对ZnS：In薄膜的光、电性能的影响。
退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响
【摘 要】
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采用真空热蒸发工艺，在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜，在正交实验条件下，以2％掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度，在此基础上，研究了不同退火温度对ZnS：In薄膜的光、电
【机 构】
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福州大学物理与信息工程学院
【出 处】
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现代显示
【发表日期】
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2012年12期
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本文针对我国教师职后培训模式的现存问题，指出应该将“以人为本”理念作为创新教师职后培训模式的先导，提出了人本理念下教师职后培训的实践探索模式。