面向100 GHz＋数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺

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【摘要】

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报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以

【作者】

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程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领

【机构】

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南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

【出处】

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红外与毫米波学报

【发表日期】

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2017年2期

【关键词】

：

磷化铟异质结双极型晶体管分频器 InP heterojunction bipolar transistor frequency divider

【基金项目】

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Supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China （BK20131072）

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报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平.

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