异质结双极型晶体管相关论文
An optical bandwidth analysis of a quantum-well (16 nm) transistor laser with 150-\mum cavity length using a charge con......
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104 Gy的伽玛总剂量辐照后, 集电极电流和厄尔......
随着集成电路的迅猛发展,半导体制程工艺进入深亚微米领域乃至纳米领域,静电放电(ESD,Electro-Static Discharge)现象已经成为造成......
建立了适用于缓变 Alx Ga0 .5 2 -x In0 .48P/Ga As HBT的解析模型。考虑了 Al组分 x的变化对 HBT温度特性的影响。分析结果表明 ,......
采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作......
对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率......
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压......
报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡......
异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极......
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响.经过10...
设计了一款微波单片集成电路功率放大器．该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术，不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点......
在微波双极型晶体管中，收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章......
基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结......
采用IBM公司刚刚推出试用的0．35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构，除集电......
设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变......
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低......
从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发,阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理,采用MBE方法生长Si/Si1xGex合金材料,并对Si/Si1xGex合金材料......
采用三指单胞的InGaP／GaAs HBT提取的大信号模型参数，设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器·通过对传统偏置网络的优化，消除......
异质结双极型晶体管（HBT）是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一．本文提出了一种三指发射极HBT的设计．通过与同一版上两指发射极HBT......
将异质结双极型晶体管（HBT）模型分为本征模型和外模型，并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应......
介绍了一种异质结双极型晶体管（HBT）的小信号等效模型参数提取方法及其仿真软件的研制。通过一系列公式推导并确定外部参数和内部参......
六边形发射极的自对准InGaP／GaAs异质结具有优异的直流和微波性能。采用发射极面积为2μm×10μm的异质结双极型晶体管，VCE偏移......
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程,建立了多指 AlGaAs/GaAs HBT的热电耦合解析模型,给出了相应的算法,得到异质结双......
用费米分布函数对 HBT结构中载流子的分布进行了计算 , 与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析 . 同时在热场发射......
研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响，给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域,用肖特基钳位理论解......
为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射......
GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷......
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益......
为了提高产品性能、缩短设计周期、降低成本,设计人员往往依赖于计算机辅助设计(Computer-Aided Design,CAD)中高效、准确的器件模......
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子......
垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting lasers,VCSELs)和异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor......
本论文主要从异质结双极型晶体管（HBT）用Ⅲ—V 族化合物半导 体材料结构和分子束外延（GSMBE）生长工艺的角度，对影响材料和......
<正> 砷化镓集成电路(GaAs IC)近年来商业化空前火爆,其应用领域不断扩展。过去几年由于移动通信的发展,推动了GaAs IC的市场不断......
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止......
为了改善常用电压偏置功率放大器对偏置电压、温度和工艺的敏感影响,提出了一种新型的低耦合自适应偏置电路结构,并采用改进的负载......
采用完全对称的双链路功率合成架构,设计了一种应用于北斗手持式终端的高输出功率的功率放大器。采用F类输出匹配网络和自适应偏置......
针对应用于无线局域网IEEE 802.11ac标准的终端,通过采用自适应线性化偏置和宽带匹配技术,设计一种高线性度的InGaP/GaAs HBT功率......
卫星移动通信作为手机移动通信的互补产业,由于其通信距离长,抗干扰能力强,信号稳定等优点,近年来获得了快速的发展。射频发射机作......
随着无线通信和射频技术的发展,集成电路设计对器件特性的要求也逐渐提高,特别是在微波射频等高频电路设计领域。III-V族化合物半......
制作了基区Ge组分分别为0．20和0．23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管（HBT）。实验结果表明，基区Ge组分的微小增加，引起了......
以前人们认为异质结双极型晶体管是硅锗新材料在微电子器件方面的最重要应用。根据最新的信息，指出这一器件具有很大的局限性，而正在......
阐述了一种新的异质结双极型晶体管（HBT）的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定......
