热丝化学气相沉积法低温制备纳米晶态碳化硅薄膜

来源 :光电子．激光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhuxh054

【摘要】

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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM

【作者】

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于威孙运涛郑志远韩理傅广生

【机构】

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河北大学物理科学与技术学院

【出处】

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光电子．激光

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

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热丝化学气相沉积纳米晶态碳化硅薄膜晶体结构表面形貌 PL特性 nanocrystals SiC hot filament chemical vapor

【基金项目】

：

河北省自然科学基金

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采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上合成了纳米晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及光致发光(PL)检测技术对薄膜的晶体结构、表面形貌和PL特性进行了分析和表征.结果表明,在较低的衬底温度下所沉积的薄膜是由镶嵌于非晶SiC网络中的晶态纳米SiC构成.纳米晶粒平均尺寸约为6 nm.室温下用HeCr激光激发样品,观察到薄膜发出波长位于400～550 nm范围内可见光辐射.

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