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研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响,阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素;提出了一种摸底试验的方法;对5种集成电路管壳进行了温度循环试验,并对试验结果进行了分析.就试验的几种外壳来看,至少可以经受1000次温度循环,其气密性仍然满足要求.
温度循环对半导体集成电路气密性的影响
【摘 要】
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研究了温度循环对半导体集成电路气密性的影响,阐述了影响集成电路管壳气密性的各种因素;提出了一种摸底试验的方法;对5种集成电路管壳进行了温度循环试验,并对试验结果进行
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2003年5期
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