双极型静电感应晶体管的温度特性

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通过双极型静电感应晶体管(BSIT)与普通双极型晶体管(BJT)温度特性的对比,研究了BSIT的温度特性。由实验看出,影响BSIT温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目n。以此可解释几个在观察BSIT温度特性时所遇到的现象。 By comparing the temperature characteristics of bipolar electrostatic induction transistor (BSIT) and ordinary bipolar transistor (BJT), the temperature characteristics of BSIT are studied. It can be seen from the experiment that the main factors affecting the temperature characteristics of BSIT are the carrier mobility μ and the number n of electrons crossing the barrier from the source. This can explain several phenomena observed in the BSIT temperature characteristics.
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