一维双量子点系统的电子隧穿及电导

来源 :杭州电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dengjia1207
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研究了在量子点系统中的共振隧穿,光子辅助隧穿和自旋极化隧穿现象。根据紧束缚近似理论,给出了在稳态下双量子点系统的哈密顿量,并获得在库仑阻塞体系下双量子点系统电导率的表达式。在小功率微波体系下,得到了在单光子辅助隧穿情况的电子传输特性。双量子点的门电压将影响对应频率的光的吸收,系统的电导率将出现对频率的线性依赖性。在外加磁场条件下,发现了在库仑阻塞体系下的自旋极化现象。
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