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最高振荡频率416 GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT
最高振荡频率416 GHz的太赫兹InGaAs/InP DHBT
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fsdafdsfsdsdf
【摘 要】
:
太赫兹技术(300GHz~3THz)在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l/f噪
【作 者】
:
程伟
王元
赵岩
陆海燕
牛斌
高汉超
【机 构】
:
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
2013年6期
【关键词】
:
InGaAs
InP
最高振荡频率
太赫兹
DHBT
GHZ
异质结双极型晶体管
集成功率放大器
l
f噪声
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太赫兹技术(300GHz~3THz)在射电天文、成像雷达以及高速通信等领域具有广阔的应用前景。磷化钢双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压、高器件一致性、低l/f噪声等优点,非常适合于太赫兹单片集成功率放大器和频率源的研制。
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