改进的二步法生长双层、异型硅外延材料

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tang355402
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在双层、异型硅外延中,通常采用预通掺杂剂二步外延法。本文对掺杂剂预通过程中产生的气一固扩散进行理论及实验研究,分析了预通条件(温度、时间、预通量等)对气一团扩散的影响,提出了减小P-N过渡区改进的二步外延法。
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