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在分子束外延的过程中，使用低温衬底（200—300摄氏度）生长的GaAs（LTD-GaAs）在化学配比，结构和性能上与普通衬底温度（600摄氏度）相比都有着不同的特点，这些差异可以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾，并说明该材料的一些特殊性能。
MBE低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展
【摘 要】
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在分子束外延的过程中，使用低温衬底（200—300摄氏度）生长的GaAs（LTD-GaAs）在化学配比，结构和性能上与普通衬底温度（600摄氏度）相比都有着不同的特点，这些差异可以被用来进行各种应用
【机 构】
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上海交通大学微电子学院
【出 处】
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信息技术
【发表日期】
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2008年10期
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