非合金化欧姆接触相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

非合金化欧姆接触相关论文

MBE低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中，使用低温衬底（200—300摄氏度）生长的GaAs（LTD-GaAs）在化学配比，结构和性能上与普通衬底温度（600摄氏度）相比都有着......

期刊

低温生长砷化镓器件应用光电器件非合金化欧姆接触量子点 LTG-GaAs device application optoelectmnic device

用于GaAs基量子级联激光器的欧姆接触新结构、工艺与测量

MBE GaAs基量子级联激光器是采用分子束外延的方法,在GaAs的表面生长出一系列的量子阱,利用量子级联的原理产生谐振光,从而得到稳......

学位

砷化镓欧姆接触测量方法制作工艺非合金化欧姆接触

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