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作者首先以拟合在CCSD（T）／aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HCI相互作用能数据，获得了He-HCI体系相互作用的各向异性势，并与其它势模型进行了比较，验证了拟合势的可靠性；然后采用密耦近似方法，计算了He-HCI碰撞体系在不同碰撞能量下的微分散射截面、分波散射截面和总截面，得到了散射截面随能量变化的规律．研究表明：小角散射几率大于大角散射几率；碰撞能量越高，体系的散射几率越小，量子效应越不显著，尾部效应越弱，得到收敛的分波截面所需的分波数也越多。