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电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟
电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟
来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sxhh122
【摘 要】
:
经过严格论证,提出一种计算简便,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法,在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟,给出模拟电子数分别为5000、20000、5000
【作 者】
:
任黎明
陈宝钦
【机 构】
:
中国科学院微电子中心微光刻实验室
【出 处】
:
微细加工技术
【发表日期】
:
2001年3期
【关键词】
:
电子束曝光
蒙特卡洛法
高斯分布束斑
electron beam lithography
Monte Carlo method
Electron beam s
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经过严格论证,提出一种计算简便,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法,在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟,给出模拟电子数分别为5000、20000、50000、100000时的模拟结果.
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