基于GMR纳米薄膜的磁场传感器研究

来源 :中国机械工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chaska

【摘要】

：

通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力

【作者】

：

刘华瑞欧阳可青任天令曲炳郡李伟刘理天

【机构】

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清华大学

【出处】

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中国机械工程

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

GMR GMR传感器退火矫顽力

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通过高真空磁控溅射、离子束刻蚀、光刻、铝引线溅射、正胶剥离等工艺,制造了用GMR纳米薄膜作为核心部分的磁场传感器.经过退火工艺后的GMR薄膜的磁电阻变化率为7.91%,矫顽力为0.054π×103A/m(0.05Oe).用这种GMR薄膜制备的磁场传感器的线性区域为-154π×103～154π×103A/m,输出线性度为0.9993.这种高线性度的磁场传感器在汽车工业和自动化控制系统等领域中起到举足轻重的作用.

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