Si／Si直接键合界面性质的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qqqqq721106

【摘要】

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通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si

【作者】

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陈松岩谢生何国荣

【机构】

：

厦门大学物理系,中科院半导体所

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

硅直接键合界面性质红外透射谱 X-射线光电子谱伏安特性键合强度键合机理 silicon wafer bonding interfacial char

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通过三步直接键合方法实现了Si/Si键合.采用XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对Si/Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究.研究结果表明,高温退火后,在键合界面没有Si-H和Si-OH网络存在,键合界面主要由单质Si和不定形氧化硅SiOx组成.同时,研究还表明,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度.

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