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本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（SC）的变化。采用X射线衍射仪（XRD），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（σd）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2．0％时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1．5％时，硼的掺杂效率最大，同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。