【摘 要】
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利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔长1850μm不变,改变脊形区的长度分别为450,
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心 北京100083,北京100083,北京100083
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利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔长1850μm不变,改变脊形区的长度分别为450,700和950μm,对比三种情况的P-I特性和光束质量.发现LRW=450μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率达0·83W/A,饱和功率为4·28W.输出功率为1W时,远场发散角为7·5°×30·6°,M2因子为3·79.
Growth of 980nm InGaAs-AlGaAs graded index of refraction were limited by MOCVD heterostructure single quantum well laser epitaxial wafers, the use of tapered waveguide gain waveguide structure to prepare the device to maintain the total cavity length of 1850μm unchanged, changing the length of the ridge area were 450, 700 and 950μm, the PI characteristics and the beam quality of the three cases are compared.It is found that LRW = 450μm, the device characteristic parameters and the far-field beam quality are the best, the slope efficiency is0.83W / A and the saturation power is4.28W.The output power At 1 W, the far-field divergence angle is 7.5 ° × 30 ° and the M2 factor is 3.79.
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